【摘 要】
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内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;
【机 构】
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大连东软信息学院嵌入式系统工程系,东北财经大学管理科学与工程学院
【基金项目】
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辽宁省教育厅科研项目计划(L2010045)
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内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM存储器BIST设计,所设计的测试电路可以复用状态机的状态,利用循环移位寄存器(Cyclic Shift Register,CSR)产生操作命令,利用地址产生电路产生所需地址;通过对3种BIST电路支持的算法,全速测试,面积开销3个方面的比较,表明提出的嵌入式DRAM存储器BIST设计在测试时间,测试故障覆盖率和测试面积开销等各方面都取得了较好的性能。
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