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射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究
射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究
来源 :中国真空学会薄膜技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xsw2233
【摘 要】
:
本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH和CH薄膜,并对沉积的薄膜在N氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌
【作 者】
:
张翼英
杜丕一
韩高荣
【机 构】
:
浙江大学材料系硅材料国家重点实验室(浙江杭州)
【出 处】
:
中国真空学会薄膜技术学术研讨会
【发表日期】
:
2003年9期
【关键词】
:
Si-C-H薄膜
退火
红外
XRD
AFM
X射线衍射
原子力显微镜
化学气相沉积
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本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH<,4>和CH<,4>薄膜,并对沉积的薄膜在N<,2>氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌分析.测试结果显示在所沉积的薄膜中含有Si-C键,分布于结晶性好的Si晶粒之间.
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