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利用深能级瞬态谱（DLTS）研究了气源分子束外延（GSMBE）生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~（-15）cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev＋0.31 eV,俘获截面为2.87×10~（-17）cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的