反应温度对卤素刻蚀法制备碳化物衍生碳涂层的影响

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近些年来,碳化物衍生碳以其独特的性能被广泛应用在气体存储、超级电容器、催化剂载体和摩擦涂层等方面.卤化法以成本低、制备工艺简单等特点成为制备衍生碳涂层的热点.本文以SiC陶瓷基体为前驱体,通过高温氯化处理工艺在SiC表面制备碳化物衍生碳涂层,并研究了反应温度与其摩擦学性能之间的关系.研究结果表明:在1 175℃下保温2 h所制备的SiC-CDC涂层表面光滑平整、硬度最高、且与基体的结合强度最好.此时SiC-CDC涂层的干摩擦系数最小,耐磨性最强,具有良好的摩擦学性能.氯气刻蚀反应制备SiC-CDC涂层可为
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