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针对杂质在GaAs中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题,主要介绍了应用广泛的n型杂质Si、Sn,p型杂质Be、Zn、Mg的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况,从目前的研究状况可以得出这样的结论:在GaAs中,Be、Zn、Mg等p型杂质是以置换填隙机制扩散的,Si、Sn等n型杂质是以替位机制扩散的。