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无显影气外光废是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进ＨＦ气体在高温下得到活性氟阴离子是刻蚀反应得以发生的首要条件和关键；曝光后成膜物结构变化地添加在其中的小分子诱蚀剂的栅栏作用是在曝光区形成反差的条件；图形的高分辨率与高纵宽比也得到了合理的解释。在机理研究的过程中，新的无显的气相光刻的方法（如高分子诱蚀剂及超强酸作为诱蚀剂的方法）得以发展及研究。