【摘 要】
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用ZnO/SiO_2/Si单片卷积器实现了存贮时间很长的声表面波存贮器件。在SiO_2/Si界面以电荷栅的形式存贮的信号在ZnO的二次存贮中心通过来自金属电极的注入电子而放大一倍。已
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用ZnO/SiO_2/Si单片卷积器实现了存贮时间很长的声表面波存贮器件。在SiO_2/Si界面以电荷栅的形式存贮的信号在ZnO的二次存贮中心通过来自金属电极的注入电子而放大一倍。已经获得了10小时以上的存贮时间。
A SAW storage device with long storage time is realized by a ZnO / SiO_2 / Si monolithic convolver. The signal stored in the form of a charge gate at the SiO 2 / Si interface is doubled by the injected electrons from the metal electrode in the secondary storage center of ZnO. Have been more than 10 hours of storage time.
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