温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响

来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangwei07863
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本文研究了 215~353 K温度范围内商用4M 0.15 μm;薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU) 截面随温度的变化.实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升 区,SEU截面随温度的升高而增加.使用Space Radiation 7. 0软件研究了温度对其空间错误率预估的 影响,模拟结果显示.SEU截面随温度的变化改变了 SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET 阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果.
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