【摘 要】
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介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特
【机 构】
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电子科技大学电子科学与工程学院,中国电子科技集团第十三研究所集成电路国家重点实验室
【基金项目】
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Supported by the National Natural Science Foundation of China(61771116,91738102).
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介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在340~490 GHz的宽带内,变频损耗在14.2~20 dB之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为4020~17100 K。
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