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１／ｆ噪声，由于其反映了器件的质量、可靠性等参数，其研究越来越为人们所重视，本文首先较为系统地介绍了１／ｆ噪声源两种较为成熟的理论：载流子数涨落和迁移率涨落模型，最后将研究ＭＯＳ晶体管中１／ｆ噪声的现象。在ｎ管中，较为成功地用ΔＮ模型；而在ＰＭＯＳ晶体管中，Δμ模型可较为成功地解释其１／ｆ噪声特性。