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Eu:Zn:LiNbO3晶体全息存储性能的研究
Eu:Zn:LiNbO3晶体全息存储性能的研究
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fbyang
【摘 要】
:
在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu:Zn:LiNbO3晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Eu:Zn:LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储。
【作 者】
:
赵业权
王继扬
【机 构】
:
哈尔滨工业大学航天工程与力学系,山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
1998年2期
【关键词】
:
晶体
全息存储
衍射效率
铌酸锂
掺铕
掺锌
Eu∶Zn∶LiNbO3 crystal
holographic memory
diffraction effic
【基金项目】
:
国家863计划资助,黑龙江省自然科学基金
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在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu:Zn:LiNbO3晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Eu:Zn:LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储。
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