【摘 要】
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为比较不同微结构对于碳纳米管冷阴极电流发射能力的增强效果,采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在两种不同单元尺度的微结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并在2
【机 构】
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郑州航空工业管理学院数理系,中国工程物理研究院应用电子学研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（51072184,61274012,61172041）
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为比较不同微结构对于碳纳米管冷阴极电流发射能力的增强效果,采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在两种不同单元尺度的微结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并在20 GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了比较研究。基底微结构阵列的单元尺度为10μm×20μm（其中微锥底边长为20μm,单元节距为30μm）和20μm×20μm。结果表明：在相同的峰值电场下,基底微结构阵列的单元尺度越小,CNTs薄膜的强流脉冲发射电流越大;且随着峰值电场的增加,单元尺度越小,CN
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