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提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较 .实验中将硅波导的表面粗糙度由6 5 .4 nm降低到了 8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊
热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度
【摘 要】
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提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年11期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :698962 60,60 3 3 60 10 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~
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