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首先采用化学气相沉积法成功制备半导体氧化镓(Ga2O3)纳米线,并通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等检测手段对其形貌、结构和尺寸进行了表征.进而利用一种简易的探针刻划法制作了基于Ga2O3纳米线的日盲型紫外探测原型器件,光电测试表明,该器件对254nm的紫外光具有快速灵敏的响应特性,最后讨论了Ga2O3纳米线紫外响应的微观机理.