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SOI键合材料的TEM研究
SOI键合材料的TEM研究
来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lpy2009
【摘 要】
:
用横断面透射电子显微术(TEM)研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构,绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀,Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
【作 者】
:
王敬
屠海令
【机 构】
:
北京有色金属研究总院
【出 处】
:
稀有金属
【发表日期】
:
1998年4期
【关键词】
:
硅片键合
SOI
界面
微结构
TEM
Silicon wafer bonding
SOI
Interface
Microstructure
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用横断面透射电子显微术(TEM)研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构,绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀,Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
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