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本文利用恒定电压作用方法,测量硅栅MOS结构高场隧道电流的时间相关特性,研究了薄栅SiO_2的早期电导机制。认为在高场作用下,影响SiO_2电导的主要因素不仅有SiO_2体内阳极附近局域内的新生正电荷和SiO_2体内原生、新生电子陷阱,还应当包括新生界面态;并且,新生正电荷和新生界面态很有可能源于同一种产生物理机制。