VDT低频脉冲磁场对MNNG诱致DNA损伤的影响

来源 :中国生物医学工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yczhudong
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用视频显示终端(VDT)产生的磁通密度峰值为4μT和40μT,频率为15.6kHz低频脉冲磁场和甲基硝亚硝酸胍(MNNG,已知可损伤DNA的致癌剂)对培养的人羊膜细胞进行72h的辐射及接触,结果得出40μT低频冲磁场辐射能增加MNNG引起的细胞^3H/^14C放射活性比值;4μT低频冲磁场辐射则不能增加其放射活性比值,表明了VDT低频脉冲磁场的磁通密度值正40μT的情况下,能增强MNNG对细胞DN
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