【摘 要】
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本实验是以C/C复合材料基体,以纯锆靶,通的氮气采用磁控溅射方法在C/C复合材料表面镀氮化锆膜层.本课题旨在优化工艺的研究,实验结果通过SEM观察实施镀膜后碳纤维表面的形貌
【机 构】
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沈阳理工大学,辽宁 沈阳,110159
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本实验是以C/C复合材料基体,以纯锆靶,通的氮气采用磁控溅射方法在C/C复合材料表面镀氮化锆膜层.本课题旨在优化工艺的研究,实验结果通过SEM观察实施镀膜后碳纤维表面的形貌状态,之后采用XRD对磁控溅射后的膜层成分进行分析.得出磁控溅射氮化锆膜最佳工艺为:基底温度250℃、溅射气压4Pa、负偏压150V、溅射功率150W、氮气流量15sccm、氩气流量20sccm、沉积时间2h.
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