声表面波对GaAs(110)量子阱发光特性的调制

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【摘要】

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结合声表面波和光致发光谱在低温(15 K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其

【作者】

：

杨光 P. V. Santos

【机构】

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华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074Paul-Drude固体电子学研究所,德国柏林,D-10117;Paul-Drude固体电子学研究所,德国柏林,D-10117;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2006年8期

【关键词】

：

发光 GaAs量子阱声表面波自旋极化

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结合声表面波和光致发光谱在低温(15 K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20 dBm时,能级分裂ΔE达到了10 meV.进一步讨论了声表面波对GaAs(110)量子阱圆偏振光自旋注入的影响.

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