【摘 要】
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我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器，它的制造是采用0．8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小：5．2μm×8．5μm，芯片尺寸为6．15mm×15.21mm。通过
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我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器，它的制造是采用0．8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小：5．2μm×8．5μm，芯片尺寸为6．15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术，得到了15ns的快速存取时间。该技术为。一个PMOS负载译码器，一个三级动态增益控制读出放大器，并结合补偿技术及反馈电容技术。电路的动态电流较低，在20MHz时为50mA，静态电流也低，对TTL为15mA，而CMOS则为2μA。
We have developed a 256k word × 4 structure 1 megabit CMOS static memory, which is manufactured using 0.8μm double-layer polycrystalline, double-layer aluminum, double-well CMOS technology. The cell size is small: 5.2μm × 8.5μm, the chip size is 6.15mm × 15.21mm. By using the new circuit technology, get 15ns fast access time. The technology is. A PMOS load decoder, a three-stage dynamic gain control sense amplifier, and a combination of compensation techniques and feedback capacitor technology. The dynamic current of the circuit is low, it is 50mA at 20MHz, the quiescent current is also low, it is 15mA to TTL, and CMOS is 2μA.
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