体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

来源 :现代电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wugailin

【摘要】

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从等温和非等温两个角度，在250K～573K（-23℃～300℃）范围内，对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要

【作者】

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【机构】

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东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心

【出处】

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现代电子技术

【发表日期】

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2006年23期

【关键词】

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从等温和非等温两个角度，在250K～573K（-23℃～300℃）范围内，对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。

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