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用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示，ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同，光电压响应所需光强也不同。将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎ－Ｓｉ上，可使其光电转换效率提高３个数量级以上，并且也能使ｎ－Ｓｉ光电流和光电压有所提高。