论文部分内容阅读
目的 采用电离辐射诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞损伤模型,探讨电离辐射诱导发育脑伸经细胞死亡的特征和机制.方法 新生大鼠接受单次2.0 Gy γ射线照射后,采用DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色鉴定大脑皮质神经细胞死亡的类型和时程变化特点;应用免疫组织化学方法研究p53和iNOS在细胞死亡过程中的可能作用.结果 DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色表明,2.0 Gy γ射线照射可诱导新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡.大脑皮质各区域凋亡指数于照射后4 h开始增高,至12 h达到峰值;照射后相同时间点各皮质区域