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从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术的改进,使二代近帖聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.
二代近帖聚焦像增强器纳秒响应技术
【摘 要】
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从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术的改进,使二代近帖聚焦像增强器的管子时间响应小
【机 构】
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西安应用光学研究所二室
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2005年1期
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