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朗科公司日前发布了“优芯4号”，该芯片采用了高速缓存加速、多通道、Interleave、Multi—Plane等等一系列技术，大大提升了闪存读写速度，将闪存盘读写速度提高到了40MB／s和20HB／s，是目前市面上同类产品读写速度的2～3倍。用户存储2GB数据只需要一分钟左右的时间。同时，它的ECC纠错能力达到8Bit，较以往提高了4倍。行业分析人士表示，朗科此举将闪存盘竞争带入到“芯片级”高度，闪存盘“同质化”时代或将终结。