【摘 要】
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文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物理模型的分析和讨论,证明n-MOSFET的1/f噪声
【基金项目】
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国家部委科研项目;国家自然科学基金
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文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物理模型的分析和讨论,证明n-MOSFET的1/f噪声以载流子数涨落模型为主,p-MOSFET的1/f噪声以迁移率涨落模型为主结论的正确性.研究表明,相关积分方法可用于鉴别电子器件测量噪声所属的模型类型.
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