3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with a source-contacted dummy gate for high-frequency applications

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In this paper,a 4 H-Si C DMOSFET with a source-contacted dummy gate(DG-MOSFET)is proposed and analyzed through Sentaurus TCAD and PSIM simulations.The source-contacted MOS structure forms fewer depletion regions than the PN junction.Therefore,the overlapp
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