【摘 要】
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结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中基于温敏电参数的方法被寄予厚望.而碳化硅MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件,温敏电参数法在其结温测量中的应用也面临着新的挑战.该文简述温敏电参数法的发展,梳理碳化硅MOSFET温敏电参数法的研究现状,重点关注温度特性及具体实现方法,从线性度、灵敏度、耦合量、分散性、稳健性、自热程度和在线测量难度7个维度进行对比.对于目前存在的研究难点,从碳化硅材料特性和碳化硅MOSFET可靠性两方面进行讨论解释.长远来看,灵敏度低及封装老
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区102206;全球能源互联网研究院有限公司,北京市 昌平区102211
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结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中基于温敏电参数的方法被寄予厚望.而碳化硅MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件,温敏电参数法在其结温测量中的应用也面临着新的挑战.该文简述温敏电参数法的发展,梳理碳化硅MOSFET温敏电参数法的研究现状,重点关注温度特性及具体实现方法,从线性度、灵敏度、耦合量、分散性、稳健性、自热程度和在线测量难度7个维度进行对比.对于目前存在的研究难点,从碳化硅材料特性和碳化硅MOSFET可靠性两方面进行讨论解释.长远来看,灵敏度低及封装老化可能是未来主要的难点所在.
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