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利用放电等高子烧结技术制备纯TiB2陶瓷,烧结温度1600℃,压力30MPa,真空烧结,保温1～3分钟,即可获得相对密度达99%以上的致密烧结体.扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小,结构均匀;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大;但烧结体的硬度分布不均匀.
放电等离子（SPS）快速烧结TiB2陶瓷
【摘 要】
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利用放电等高子烧结技术制备纯TiB2陶瓷,烧结温度1600℃,压力30MPa,真空烧结,保温1～3分钟,即可获得相对密度达99%以上的致密烧结体.扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小,结构均匀
【机 构】
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武汉理工大学
【出 处】
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陶瓷学报
【发表日期】
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2001年3期
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