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采用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA。测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0nm和75.5nm。无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物。说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中。