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本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。
p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定
【摘 要】
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本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密
【机 构】
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厦门大学物理系361005
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年1期
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