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利用自编1D3VPIC程序，数值研究了不同外加磁场方式对次级电子倍增抑制的物理过程，给出了次级电子数目、平均能量、密度、运动轨迹、渡越时间、介质表面静电场及沉积功率等物理量时空分布关系。模拟结果表明：不同方向外加磁场抑制次级电子倍增的机理有所不同。轴向外加磁场利用电子回旋运动干扰微波电场对电子加速过程，使其碰壁能量降低以达到抑制二次电子倍增的效果；横向外加磁场利用电子回旋漂移过程中，电子半个周期被推离介质表面（不发生次级电子倍增），半个周期被推回介质表面（降低电子碰撞能量）的作用机理，达到抑制二次电子倍增