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采用EHMO紧束缚方法计算了配合物型分子导体(PyH)[Ni(dmit)2]2二维阴离子导电层中相邻两[Ni(dmit)2]^-0.5。的HOMO轨道的重叠积分，并进行了二维能带计算，计算结果与其单晶变温电导率测试结果一致，表明该配合物型分子导体为窄能隙半导体．在能带计算基础上讨论了该类分子导体导电性与结构的关系．分子导体的晶体结构对其能带结构和导电性能影响极大，分子柱的均匀化(包括沿分子轴方向的错动尽可能小和面间距均一)以及小的导电组元分子面间距是有利于增加分子导体的导电性的结构因素。