论文部分内容阅读
运用俄歇化学效应和XPS研究了高能离子注入的Sb／Bi元素在氧化锡气敏膜中的存在形式。结果表明氧化锡薄膜在注入Sb后，Sb和SnOx物相产生相互作用形成了SbySnOx物种，该物种提高了气敏薄膜的导电性能。氧化锡薄膜高能离子注入Bi后，Bi并没有和SnOx相发生作用，而仍以金属Bi和Bi2O3两种物相存在。金属Bi的存在可以提高薄膜的导电性能以及提高对CO的气敏选择特性。