【摘 要】
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对于硅上液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)器件而言,由于其像素间距较小,当某一像素施加电压后,会影响其相邻不加电压的像素的光学特性.为了改善这一情况,本文通过建立
【机 构】
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河北工业大学电子材料与器件天津重点实验室,天津,300401河北工业大学电子材料与器件天津重点实验室,天津300401;河北工业大学应用物理系,天津300401;
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对于硅上液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)器件而言,由于其像素间距较小,当某一像素施加电压后,会影响其相邻不加电压的像素的光学特性.为了改善这一情况,本文通过建立一种常白型LCoS的三维光学模型,研究了3种参数对相邻不加电像素边缘的影响.结果 表明:(1)相邻像素边缘暗态的位置和面积会随着液晶分子取向的改变而改变,当液晶分子取向方向为45°时,相邻像素边缘受影响的程度最小;(2)液晶盒的厚度越大,相邻像素边缘受影响的程度越大;(3)像素间距对相邻像素边缘的影响是变化的.本文条件下,当像素间距为0.7 μm时,加电的中央像素对周围像素的反射率的影响最小.本研究的结论对高分辨率LCoS的设计和制备具有一定的指导意义.
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