【摘 要】
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本文报道了一种以二维材料MoS2作为可饱和吸收体的全固态Tm:YAG被动调Q激光器。该激光器以785nm窄线宽半导体激光器作为泵浦源,采用平平腔设计,以MoS2纳米片作为可饱和吸收体
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室; 中国科学院大学;
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本文报道了一种以二维材料MoS2作为可饱和吸收体的全固态Tm:YAG被动调Q激光器。该激光器以785nm窄线宽半导体激光器作为泵浦源,采用平平腔设计,以MoS2纳米片作为可饱和吸收体,实现了2μm波段的被动调Q运转。在吸收泵浦功率达到2.02W时,获得了最大平均输出功率421mW,最小脉冲宽度为423ns,重复频率为49.36kHz,最大单脉冲能量为8.53μJ的脉冲激光输出。这是目前采用MoS2作为可饱和吸收体的2μm波段的固态激光器中所能得到的最小脉冲宽度和最大单脉冲能量。结果表明,MoS2是一种可适用于2μm波段固态激光器的可饱和吸收体,为产生近红外波段的脉冲激光提供了一种新的方法。
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