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为提高GaAs/Ge太阳电池对光的吸收 ,我们对Ge衬底Bragg反射器进行了研究。根据GaAs材料对太阳光谱的吸收特点 ,通过转移矩阵的方法 ,对中心波长为 85 0nm的AlxGa1-xAs系材料Bragg反射器进行了光反射的理论计算和设计。依据理论设计 ,利用低压金属有机化合物化学气相沉积 (LP MOCVD)技术在Ge衬底上外延生长中心波长为 85 0nm的Bragg结构 ,测得的反射谱与理论设计相吻合 ,X Ray双晶衍射测得的Bragg周期厚度为 1 1 0nm。制作出具有埋层Bragg结构的