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本文对低温下激光与ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光照射后将产生的记忆效应进行了研究。根据本文提出的激光诱导激子的物理模型，得到了ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光作用时电导率下降是激子对载流子散射的结论。理论计算结果与实验结果基本一致。
PC型HgCdTe中记忆效应的激子解释
【摘 要】
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本文对低温下激光与ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光照射后将产生的记忆效应进行了研究。根据本文提出的激光诱导激子的物理模型，得到了ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光作用时电导率下降是激子对载流子散射的结论。理论计算
【机 构】
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南京理工大学应用物理系
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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1998年6期
【基金项目】
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国家教委跨世纪优秀人才计划基金,霍英东教育基金,高校青年教师基金,江苏省自然科学基金
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