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摘要:本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3。其中(Na0.5K0.5)1-X(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面机电耦合系数kP=0.51,损耗tan居里温度c=385℃。这些参数表明,该压电陶瓷具有很好的应用前景。
关键词:无铅无铋压电陶瓷;铌酸盐;压电常数;居里温度
引言
研究环境协调性好的电子材料及其制品已是紧迫任务。铅污染已成为人类公害之一,铋也是毒性物质,对生态环境和人类健康也造成损害,且铋的生产导致了铅和铋的双重污染。压电材料是重要的高技术功能材料,这是由于压电器件在电子、激光、超声、通讯、导航、航天、医疗、计时、计量、无损检测、传感技术、生物工程、精密加工和引燃引爆等领域得到了广泛应用。目前占压电材料主导地位的仍然是铅含量高达63%以上的铅基压电陶瓷(PZT),铅基陶瓷在生产、使用和废弃处理过程中都给人类健康和生态环境造成损害。基于铅污染已成为人类公害之一,欧盟、美国和日本先后立法,禁止或限制铅在电子工业中的应用,我国也于2006年7月1日实施执行电子信息产品污染防止管理办法。因此,研制无铅化压电陶瓷,研究环境协调性好的压电材料及其制品是当前国家电子技术可持续发展的紧迫任务之一。
BaTiO3基无铅压电陶瓷是得到系统研究的铁电材料,但它的居里点低(120℃),工作温度窄和温度稳定性欠佳等缺点,限制了它的应用。铋层状结构无铅压电陶瓷具有居里温度高、高温电阻率高等特点,使它在高温高频领域得到了应用。目前对铋层状结构压电陶瓷的研究主要集中在Bi4Ti3O12、SrBi2Nb2O9、ABi4Ti4O15(A=Ca,Sr,Ba)、Bi3TiNO9(Y=Yb,Ta)层状结构压电陶瓷系列,但该类材料的最大缺点是压电活性很低,纯的CaBi4Ti4015的压电应变
图1
图2
关键词:无铅无铋压电陶瓷;铌酸盐;压电常数;居里温度
引言
研究环境协调性好的电子材料及其制品已是紧迫任务。铅污染已成为人类公害之一,铋也是毒性物质,对生态环境和人类健康也造成损害,且铋的生产导致了铅和铋的双重污染。压电材料是重要的高技术功能材料,这是由于压电器件在电子、激光、超声、通讯、导航、航天、医疗、计时、计量、无损检测、传感技术、生物工程、精密加工和引燃引爆等领域得到了广泛应用。目前占压电材料主导地位的仍然是铅含量高达63%以上的铅基压电陶瓷(PZT),铅基陶瓷在生产、使用和废弃处理过程中都给人类健康和生态环境造成损害。基于铅污染已成为人类公害之一,欧盟、美国和日本先后立法,禁止或限制铅在电子工业中的应用,我国也于2006年7月1日实施执行电子信息产品污染防止管理办法。因此,研制无铅化压电陶瓷,研究环境协调性好的压电材料及其制品是当前国家电子技术可持续发展的紧迫任务之一。
BaTiO3基无铅压电陶瓷是得到系统研究的铁电材料,但它的居里点低(120℃),工作温度窄和温度稳定性欠佳等缺点,限制了它的应用。铋层状结构无铅压电陶瓷具有居里温度高、高温电阻率高等特点,使它在高温高频领域得到了应用。目前对铋层状结构压电陶瓷的研究主要集中在Bi4Ti3O12、SrBi2Nb2O9、ABi4Ti4O15(A=Ca,Sr,Ba)、Bi3TiNO9(Y=Yb,Ta)层状结构压电陶瓷系列,但该类材料的最大缺点是压电活性很低,纯的CaBi4Ti4015的压电应变
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