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在室温下用308MeV的Xe离子和853MeV的Pb离子辐照Ni／SiO2样品，用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。通过分析Ni／SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化，探索了离子辐照在Ni／SiO2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象。实验结果显示，Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO2基体的扩散并导致界面附近Ni，Si和O原子的混合。实验观测到低剂量Xe离子辐照可产生NiSi2相，而高剂量Xe离子辐照则导致了Ni3Si和NiO相的形成。根据热峰模型，N