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详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响 ,文中对其影响机理进行了讨论
金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究
【摘 要】
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详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶
【机 构】
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东南大学微电子中心; 香港科技大学电子与电机工程系; 东南大学微电子中心 南京; 210096; 中国香港; 南京; 210096;
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年期
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