论文部分内容阅读
通过原子力显微镜（AFM）、二次离子质谱（SIMS）、扩展电阻（SRP）等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析。其结果表明：源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga，经SiO2薄层的快速吸收和输运，到达SiO2-Si的界面，其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间；Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散；上述两者的有机结合，使Ga原子通过理想表面扩入硅体，从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果。