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针对GaN基光电阴极激活过程中Cs—O交替存在的光电流的增幅问题，本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流。发现GaN的熔点高于GaAs，在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度；如果用双偶极子模型描述GaN（1000）和GaAs（100）表面的光电发射机理，GaN（1000）表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O—Cs，几乎“平躺”在表面，对光电发射贡献不大；GaAs（100）表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs几乎“垂直”于表面，降低了表面功函数，对光电