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介绍静电屏蔽晶体管的结构，器件性能及制造工艺。利用ＧＡＴ的基区静电屏蔽效应改善了晶体管的工作可靠性。研制成的ＧＡＴ器件呈现出高耐压，快速开关和低饱和压降等优良特点。
静电屏蔽晶体管GAT的特点与制造
【摘 要】
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介绍静电屏蔽晶体管的结构，器件性能及制造工艺。利用ＧＡＴ的基区静电屏蔽效应改善了晶体管的工作可靠性。研制成的ＧＡＴ器件呈现出高耐压，快速开关和低饱和压降等优良特点。
【机 构】
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浙江大学功率器件研究所,浙江电焊机厂元件分厂
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1994年4期
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