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本文对引上法生长的铝酸钇(YAP)晶体中光弥散点的成因与克服途径进行了研究。发现原料中碳化物(Al_4C_3)的存在是诱发晶体中光弥散点的主要原因,以及使熔体在含有少量氧的氮气氛中进行适度的过热预处理是克服晶体中光弥散点的十分有效的途径。
铝酸钇熔体的预处理对晶体中光弥散的影响
【摘 要】
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本文对引上法生长的铝酸钇(YAP)晶体中光弥散点的成因与克服途径进行了研究。发现原料中碳化物(Al_4C_3)的存在是诱发晶体中光弥散点的主要原因,以及使熔体在含有少量氧的氮
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院福建物质结构研究所福州,350002,福州,350002
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1993年1期
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