自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片

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中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力,发现了自主SiSbTe体系相变材料,验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。
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