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选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂，生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体，实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后，扩大了晶体生长的过饱和温区，抑制杂晶的生长，提高了晶体利用率。
添加剂对LAP晶体性能的影响
【摘 要】
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选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂，生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体，实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后，扩大了晶体生长的过饱和温区，抑制杂晶的生长，提高了晶体利用率。
【机 构】
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黑龙江农垦师范专科学校,哈尔滨工业大学
【出 处】
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哈尔滨师范大学自然科学学报
【发表日期】
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1998年4期
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