化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xueluowushengkk

【摘要】

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采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS

【作者】

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敖建平何青孙国忠刘芳芳黄磊李薇李凤岩孙云薛玉明

【机构】

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南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年07期

【关键词】

：

化学水浴沉积 CdS CIGS太阳电池

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采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.

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