论文部分内容阅读
应用胡克定律，建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿〈001〉、〈110〉和〈111〉方向的应变张量模型．根据线性形变势能理论，计算了单轴应力沿〈001〉、〈110〉和〈111〉方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况．计算结果显示，在〈001〉方向的单轴应力作用下，△能谷带边能级分裂，且在压应力为1．8GPa时，△能谷的谷底能级变为最低能级．在〈110〉方向的单轴应力作用下，△能谷和L能谷带边能级分裂．在〈111〉方向的单轴应力作用下，L能谷带边能级分裂．并且随着