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在等离子体刻蚀多晶硅工艺中，栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中，由于UV射线的作用栅边缘处将会产生损伤，这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱，文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天线比之间的关系及它们对器件长期可靠性的影响，并使用了低频局部电荷泵技术，测量的结果包含了损伤产生的快、慢界面态和氧化层陷阱的信息，可以较好地测量工艺中产生的栅边缘损伤，为评估薄栅MOSFET的栅边缘损伤提供了一种简单快捷的方法。